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html模版 2020年量產4nm工藝！三星大舉推進晶圓制造 5月25日，三星發佈瞭自己的發展路線圖和部分項目的最新進展。三星正計劃推出多種新工藝的能力，包括新技術節點、引入極端紫外光刻(EUV)以及三星全耗盡型SOI（即FDSOI技術），並表示將在2020年實現4nm工藝量產。
FD-SOI技術主要采用體矽技術制作的32/28nm制程平面型晶體管，迄今為止，GlobalFoundries（格羅方德半導體股份有限公司）一直是其FDSOI認證的創始人，三星進攻該領域領業界備受關註。
我們先來看三星的路線圖，然後再深入瞭解其技術發展的若幹細節。
目前，三星自主10nm芯片已應用在S8系列手機中，而從這張路線圖中可以看出，風險生產是整個一年的目標，而路線圖左側和右邊緣並不意味著什麼。這很重要，因為在某些情況下，塊的左邊緣被讀取為進程的開始，而右邊則表示產品或進程已準備好完成。不同的代工廠意味著不同的東西，有時候，有時使用相同的短語。風險生產、批量生產和實際產品發佈之間的時間間隔將根據有關產品和加速過程的變幻莫測而有所不同。據悉，三星計劃在今年下半年試產8nm工藝，在2018年實現7nm工藝量產，2019年研發出6nm和5nm工藝，到2020年實現量產4nm工藝芯片。
當Intel指定在給定節點上進行批量生產時，通常會在1-2個月內啟動部件，而當臺積電、三星或GlobalFoundries宣佈批量生產時，下線的芯片仍然需要進入各種設備，然後再經過制造商特定的評估和測試。這也許就是三星在去年10月宣佈批量生產10nm SoC（系統級芯片）的原因，但是第一個在設備中使用SoC的是三星Galaxy S8（今年4月21日推出），前後經過6個月時間。
14nm LPU工藝節點是三星的第三代14nm技術，與早期的14nm工藝線相比，LPU節點的性能提高瞭15％。這種增量擴張是晶圓制造業務中的創新技術。此外，三星提到瞭EUV光刻與現有的氬氟化光刻（ArF）之間的區別。三星的8nm節點最後將擴展非EUV生產，嚴格地將性能提升在10nm以上。除此之外，三星認為，面罩計數和成本將會走高，無法證明非EUV技術的合理性，而任何未來非EUV節點的整體性能將會比公司計劃的8nm更差。顯然，如果EUV不及時推出，代工廠將嘗試提出進一步擴展現有技術的方法。但三星已在非EUV光刻技術上進行瞭至少10年光景，同時采用多圖案化和浸沒式光刻技術來補償EUV持續開發的困境。
此外，GlobalFoundries也曾談到其在FD-SOI上的投資，該公司預計將在FD-SOI上將eMRAM和RF矽片推向市場。眾所周知，蘋果手機的芯片代工訂單再次被臺積電搶奪，三星將臺積電視為芯片代工最大勁敵，三星特意從芯片制造業務中分拆組建新的芯片代工業務部門，並計劃將在今年第四季度投入工廠運營，可以看出，三星每走一步都要與全球最大的晶圓代工企業臺積電展開一場激烈競爭。
預告：
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關於DOIT DOIT是中國領先的科技新媒體，始於2003年，關註科技與數據經濟，洞察IT走向DT。
聲明：本文由入駐搜狐公眾平臺的作者撰寫，除搜狐官方賬號熱賣外，觀點僅代表作者本人，不代表搜狐立場。 技術
三星
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商品訊息功能:
- 品號：4680028
- 能源效率第2級
- 臺灣新本土化產品
- 全機3年保固，壓縮機10年保固
商品訊息描述:
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商品訊息簡述:
| 品牌名稱 | |
|---|---|
| 分離式 |
|
◎冷房能力：9.0 (Kw)
◎電源電壓：220 / 60 V/Hz
◎室外機尺寸(高寬深)：800*980*370(mm)
◎室內機尺寸(高寬深)：370*1350*260(cm)
◎產地：台灣
| 保固期 | 3年保固期全機3年保固，壓推薦縮機10年保固/保固年限規範依原廠為主 |
|---|
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